Задача отвода тепла от микропроцессоров по мере роста их
вычислительной производительности и уменьшению габаритов усложняется «не по
дням, а по часам», а решение ее до сих пор базируется на использовании
тривиальных металлических радиаторов, разработанных еще на начальных этапах
развития силовых полупроводниковых элементов - диодов, тиристоров, транзисторов
и т. п.
Эти радиаторы являются «посредниками» в передаче тепла от
«тела» полупроводникового прибора (будь то массивный транзистор или микрочип)
во внешнее пространство - подальше от самого прибора - с помощью систем
воздушного (вентиляторного) или жидкостного охлаждения. И даже использование
тепловых труб, которое какое-то время казалось революционным достижением в
микроэлектронике, довольно быстро исчерпало свои возможности в скорости отвода тепла
от микросхем. А все потому, что отвод тепла от объема полупроводниковой
структуры все так же, как и полвека назад, производится с ее поверхности,
отбирая тепло от «внутренности» с гораздо меньшей скоростью. К тому же
современные микросхемы часто представляют собой многослойные «сэндвичи» и
каждый слой выделяет тепло, подогревая «соседей»
Но неужели нельзя провести тепловые трубы внутри микросхемы
с тем, чтобы отбирать тепло непосредственно в точках его генерации - вблизи
p-n-переходов? - Поиском ответа на этот вопрос занялись в Центре нанотехнологий
имени Бирка (Michael J. Birck - выдающийся американский ученый в области
электротехники и телекоммуникаций) университета Пердью (http://www.purdue.edu , США) по заказу
Агентства перспективных исследовательских программ Министерства обороны США (DARPA),
которое, естественно, интересовало, прежде всего, военное приложение разработки
- охлаждение высокопроизводительных микропроцессоров, выделяющих белее 1 Квт
тепловой мощности на 1 кв. см площади полупроводниковой микросхемы, которые
применяются в радиолокационных станциях и суперкомпьютерах. А этот показатель
почти на порядок больше, чем удельное тепловыделение микропроцессоров,
используемых в массовых компьютерах, рабочих станциях и серверах.
И вот недавно ученые-исполнители четырехлетнего проекта
стоимостью $2 млн сообщили о создании прототипа сверхэффективной системы
охлаждения микросхемы, основанной на встроенных в ее объеме сетях микроканалов,
по которым прокачивается специально разработанный состав охлаждающей
диэлектрической жидкости, разработанный на основе применяемого в промышленности
хладагента HFE-7100, выпускаемого компанией 3М под торговой маркой Novec (см.
подробнее - огнетушащее вещество
Novec 1230).
Диаметр микроканалов - 10-15 мкм (эта величина примерно в 10
раз меньше, чем в каналах тепловых труб, применяемых для охлаждения
микроэлектронных устройств). Благодаря такой миниатюрности каналов (плюс
высокая теплоемкость хладагента) достигнута высокая плотность их размещения в
объеме микросхемы и, соответственно, высокая эффективность теплосъема: 1 Квт
тепловой мощности на 1 кв. см.
Очевидно, что эта запатентованная система охлаждения может
использоваться не только в военных приложениях, для которых она изначально
разработана, но и во многих чипах «общечеловеческого» назначения.
Комментарии
Отправить комментарий